SK与台积电共研HBM,三星以重金对抗

2024/08/14
  人工智能(AI)计算所需要的“高带宽存储器(HBM)”的市场正在快速扩大。韩国SK海力士领先,一直处于供不应求的状态。为了在预计传输速度提高4成的新一代产品领域守住阵地,SK海力士将与台积电(TSMC)进行合作。开发落后的韩国三星电子则以资金为武器尝试逆袭。
  
   
  在7月25日的财报发布会上,SK海力士的首席财务官(CFO)金祐贤表示:“AI半导体的开发速度正在加快。这对于作为行业领导者的我们来说,是一个有利的环境”。
   
  SK当天公布的2024年2季度(4月~6月)销售额为16万亿韩元,是去年同期的2.3倍。最终损益为盈利4万亿韩元(去年同期为亏损2万亿韩元),作为2季度销售额创出6年来的新高。SK的HBM订单已经排到了2025年。 
    
  HBM是一种通过堆叠临时存储数据的DRAM来提高存储容量和数据传输速度的存储器。它作为AI计算中使用的图像处理半导体(GPU)的辅助角色,负责记录计算过程。GPU与HBM之间的数据交换速度越快,AI的性能就越高。
   
  SK的最尖端产品“HBM3E”,每个输入输出端子(引脚数)的数据传输速度为8Gbps。据说每秒可以处理230多部全高清电影。
   
  三星是全球最大的存储器厂商,在DRAM领域占据42.3%全球市场份额。但在HBM领域,SK占据52.5%市场份额,超过三星。
   
  HBM的开发竞争围绕这两家公司展开。SK在2013年率先开发HBM,三星则从2015年开始正式开发。到2020年左右三星一度领先,但随着SK在2023年8月开发出最尖端产品“HBM3E”,SK实现反超并进一步拉开了差距。
  
   
  三星被指“过度执着于半导体的微细化”(美国的半导体商社)。半导体的性能随着电路线宽微细化而提高。三星凭借强大的资金实力持续追求微细化,但尖端产品的电路线宽已达到10纳米级别,技术开发的难度增大。
   

    
  另一方面,SK则从堆叠DRAM的方法中找到了出路。该公司还率先与材料厂商建立关系。SK与日本NAMICS(位于新潟市)等公司共同开发出了生产最尖端产品不可或缺的封装材料,并签订了独家供应合同。
     
  SK目前正在与台积电共同开发新一代HBM产品,目标是2025年开始量产。据称,新一代产品的传输速度将提高4成。台积电正在为占据GPU市场9成的美国英伟达(NVIDIA)进行代工生产。SK通过与台积电合作,间接与英伟达强化关系。
    
     
  三星在取得英伟达的最新AI半导体认证方面落后。美国摩根士丹利(Morgan Stanley)的Shawn Kim指出:“三星面临市场份额下降的风险”。高盛的Giuni Lee预测称:“未来2~3年,SK将在尖端HBM产品领域保持超过50%的份额”。
     
  为了挽回局面,三星更换了半导体部门的一把手。该公司打破了年底宣布高管人事安排的惯例,在2024年5月提前宣布了人事任命。试图通过不同寻常的人事安排来加强内部团结,同时三星也在与日本材料厂商积极建立关系。
   
  HBM的更新换代速度很快。一般来说每更新一代产品,传输速度就会提高到1.5~2倍左右。因此,如果能抢在竞争对手前面推出尖端产品,就能在其他公司赶上之前获得利润。产品更新换代是扭转势力格局的良机。
   
  精密堆叠微细半导体的技术难度越来越高,生产设备也越来越贵。SK将在截至2028年底的5年里进行103万亿韩元设备投资,其中8成将用于HBM的技术开发和量产。
    

SK海力士在高性能半导体“HBM”方面具有优势

  
  三星也在提高HBM在总投资额中的占比。2024年把HBM供应量增加到上年的4倍,2025年将进一步增加到2倍。
    
  乐天证券经济研究所的今中能夫指出:“自2024年下半年起,投资竞争将正式开始”。三星的总资产为497万亿韩元,是SK的1.5倍。有观点认为,三星拥有雄厚的资金实力,如果把资金运用到投资竞争中,三星将有望取胜。
    
  HBM被认为已经开始开发未来2~3代的产品。美国美光科技也在寻找机会加入竞争。SK海力士能否保持领先地位?三星能否通过大规模投资迎头赶上呢?以韩国两家公司为中心的竞争将会持续下去。
    
  日本经济新闻(中文版:日经中文网)向野崚、松浦奈美 首尔