英特尔与产综研将在日本设立开发基地

2024/09/04
  

新基地将在日本研究机构中首次引进EUV光刻设备(英特尔的设备)

      
      美国英特尔(Intel)与日本国立研究机构产业技术综合研究所(产综研)将在日本国内设立最尖端半导体制造设备和材料的研究开发(R&D)基地。半导体是经济安全保障的重要物资,为了将在欧美等地获得的研究数据转移到日本的相关审查正日益变得严格。在日本国内建立配备最尖端设备的基地,将更便于开发制造设备和材料。
   
      新基地计划3~5年后成立,将在日本研究机构中首次引进极紫外线(EUV)光刻设备。这种设备对生产电路线宽在5纳米以下的最尖端半导体不可或缺。日本产综研作为运营主体,英特尔则提供使用EUV制造半导体的技术等。总投资额预计达到几百亿日元。
  
      企业将支付使用费,利用EUV进行试制和测试。新基地还考虑与美国研究机构进行技术合作和人才交流。
   
      在日本国内致力于最尖端半导体量产的Rapidus计划2024年12月引进制造用的EUV设备,但研究机构并没有EUV。EUV设备的价格每台超过400亿日元。材料和设备厂商难以自己购买,因此正在利用比利时imec等海外研究机构的EUV设备实施开发。
  
        
      随着中美对立加剧,美国对中国的EUV设备出口进行限制。与EUV相关的设备和材料也成为审查对象,在海外进行的研究成果和数据转移到日本的手续耗时较长。如果日本国内的研究机构拥有EUV设备,研究成果应用于自家产品的门槛将降低。
  
      EUV光刻设备由荷兰ASML控股垄断,但制造半导体需要600多个工序,相关设备和材料的开发不可或缺。日本国内企业中,Lasertec在EUV相关检测设备中占有100%的市场份额,JSR等日本企业在用于制作电路的感光材料方面也具有优势。英特尔将通过新的研究基地,深化与日本国内材料和设备厂商的合作关系。
  
      在从事尖端半导体的大企业中,台积电(TSMC)2022年6月在茨城县筑波市设立了新一代半导体研究开发基地。面向将半导体做成最终产品的“后工序”开发材料。
  
      韩国三星电子也将在2024年度内在横滨市设立研究基地。随着日本国内技术开发基地增加,日本的设备、材料和半导体器件厂商掌握最尖端技术的机会将增加。