三星、海力士前高管兼芯片专家崔振硕因涉嫌泄露技术被捕

2024-09-06 14:41  

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据悉,三星电子、海力士半导体(现SK海力士)前高管兼芯片专家崔振硕(音,66岁)因涉嫌向中国泄露三星电子核心芯片技术——20纳米级DRAM工艺技术资料被捕。2023年6月,崔某曾因涉嫌窃取三星电子芯片工厂设计图,并意图开设20纳米级DRAM芯片的“三星电子复制工厂”被捕后获释。

▲ 三星电子的平泽芯片工厂。

5日,首尔中央地方法院专门负责逮捕令的部长法官金美京(音)针对涉嫌违反《关于防止不正当竞争与保护商业秘密的法律》的崔某和前三星电子首席研究员吴某举行了逮捕前的嫌疑人审问(逮捕令实质审查),判定“有潜逃的可能”并签发了逮捕令。

两名嫌疑人涉嫌将包含20纳米级芯片生产所需的温度、压力等600多道工艺核心信息的资料泄露给中国成都高真科技。据首尔警察厅产业技术安保调查队掌握的情况,两名嫌疑人涉嫌将三星电子关于20纳米级DRAM芯片的独家技术打包泄露。

成都高真法人崔某曾担任三星电子常务、海力士副社长。2023年6月,他曾因涉嫌窃取三星电子芯片工厂设计图,并意图开设20纳米级DRAM芯片的“三星电子复制工厂”被捕,并于11月被保释出狱。

1月15日,警方曾申请签发吴某的逮捕令,但法院以“有必要保障其防御权”为由予以驳回。

随后警方进行了补充调查,2日通过首尔中央地方检察厅信息技术犯罪调查部(部长安东建,音)再次申请签发吴某的逮捕令,一并申请的还有崔某的逮捕令。据悉,考虑到犯罪的重大性和损失规模,检方亲自出席了逮捕令实质审查,说明了犯罪嫌疑。